三星集團(tuán)旗下負(fù)責(zé)芯片代工的星公芯片m芯子公司三星代工日前在三星代工論壇上介紹了該公司接下來的路線圖，根據(jù)三星代工的代工點(diǎn)網(wǎng)說明，該公司計(jì)劃在 2025 年量產(chǎn) SF2 節(jié)點(diǎn) (對(duì)應(yīng)著 2nm 工藝)、線量產(chǎn)在 2025 年完成 SF1.4 節(jié)點(diǎn) (對(duì)應(yīng)著 1.4nm 工藝) 的圖年技術(shù)開發(fā)，到 2027 年量產(chǎn)。年量

首先是片藍(lán) SF2 工藝，三星代工將從 2025 年開始為客戶提供 SF2 芯片生產(chǎn)，星公芯片m芯該技術(shù)在能效方面提高 25%、代工點(diǎn)網(wǎng)性能提升 12%、線量產(chǎn)芯片面積較三星代工的圖年 SF3 (對(duì)應(yīng)著 3nm 工藝) 縮減 5%。

為了讓 SF2 工藝更具有競爭性，年量三星打算為 SF2 提供一系列先進(jìn)的片藍(lán) IP 組合集成到芯片設(shè)計(jì)里，包括 LPDDR5X、星公芯片m芯HBM3P、代工點(diǎn)網(wǎng)PCIe Gen 6、線量產(chǎn)112G SerDes。

在 SF2 之后的并非 SF1.4 而是 SF2P，SF2P 是 SF2 的增強(qiáng)版，專門為高性能計(jì)算優(yōu)化，到 2027 年再推出 SF2A，專門為汽車行業(yè)提供優(yōu)化。關(guān)于 SF1.4 目前還沒有太多的消息，SF1.4 計(jì)劃是在 2027 年量產(chǎn)。

三星還準(zhǔn)備繼續(xù)推進(jìn)其射頻技術(shù)，三星代工預(yù)計(jì) 5nm RF 工藝將在 2025 年上半年準(zhǔn)備好，與舊的 14nm RF 工藝相比，5nm 版晶體管密度提高 50%、能效提高 40%。

其他產(chǎn)品方面，三星代工還是在 2025 年，生產(chǎn)用于各種領(lǐng)域的氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體，面向消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品、數(shù)據(jù)中心、汽車行業(yè)提供。