三星電子Foundry代工部門高級研究員樸炳宰本周四在“2022年半導(dǎo)體EUV全球生態(tài)系統(tǒng)會議”上發(fā)表了演講。工市

    他表示，場年到2026年，將達(dá)全球3納米工藝節(jié)點代工市場將達(dá)到242億美元規(guī)模，億美元規(guī)較今年的工市12億美元增長將超20倍。

    目前，場年三星電子是將達(dá)唯一一家宣布成功量產(chǎn)3納米芯片的公司，隨著三星電子、億美元規(guī)臺積電、工市英特爾等半導(dǎo)體大廠開始引進(jìn)EUV設(shè)備，場年工藝技術(shù)不斷發(fā)展，將達(dá)預(yù)計3納米工藝將成為關(guān)鍵競爭節(jié)點。億美元規(guī)

    根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，工市截至今年年底，場年在晶圓代工市場中占據(jù)最大份額的將達(dá)是5納米和7納米工藝，市場規(guī)模369億美元，未來其份額將逐步由3納米所取代。他表示，“隨著14納米FinFET工藝的推出，三星電子已經(jīng)上升到代工市場的第二位。”

    據(jù)稱，3納米節(jié)點需要新的器件結(jié)構(gòu)以提升性能，率先實現(xiàn)量產(chǎn)3nm工藝的三星使用了環(huán)柵（GAA）晶體管結(jié)構(gòu)的MBCFET技術(shù)，較FinFET性能功耗有明顯改善。

    “就FinFET而言，性能隨著引腳數(shù)量的增加而提高，但功耗的增加超出了性能的提高幅度”，他表示，“另一方面，MBCFET的效率要高得多，因為它們在相似的水平上提高了性能和功率。”

    具體來說，在FinFET技術(shù)中性能提升1.3倍但功耗也會隨著上漲2.2倍，而在MBCFET中，性能提高1.7倍時，功耗只會增加1.6倍，相對來說效率更高。